DDR4 SO-DIMM | CIR-V4SESW2616G

Name: DDR4 SO-DIMM | CIR-V4SESW2616G
Brand: Cervoz
SKU: 161691
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DDR4 SO-DIMM RAM
16 GB
260-pin, PC2666
ECC
Temp: 0°C ~ +85°C

Produktnummer: 161691

Breite: 69.73 mm

Höhe: 30.13 mm

Lagerbestand: 30

Produkt: "DDR4 SO-DIMM | CIR-V4SESW2616G"

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 16 GB, 260-pin, PC2666, 1Gx8 DR, Samsung, ECC, 1,2V

Merkmale:

JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line Speichermodul
Spannung: 1,2V
Taktrate: 2666 MHz
Betriebstemperatur: 0°C bis +85°C
ECC

DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Eigenschaften "DDR4 SO-DIMM | CIR-V4SESW2616G"

Produktart:	DRAM
Bauform:	DDR SO-DIMM
DDR-Standard:	DDR4
Taktrate:	2666 MHz
Pins:	260
CAS-Latenz:	CL19
Speicherkapazität:	16 GB
PCB Layer:	8
Features:	ECC
Produktserie:	Server
Betriebstemperatur:	Standard
Versorgungsspannung:	1.2 V

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Datasheet CIR-V4SESW2616G