Industrial RAM Module

Die Produktlinie der industriellen DRAM-Module von Cervoz besteht aus DIMM-, SO-DIMM- und VLP(very low profile)-DIMM-Formfaktoren; sie umfasst drei verschiedene Serien: Standard-Serie (unbuffered), Wide-Temperature-Serie und Server-Serie (buffered). Wir bieten verschiedene DRAM-Generationen (DDR1 - DDR5) und Funktionalitäten für die anspruchsvollen Anforderungen des Industriecomputermarktes.

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSZ2904G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 260-pin, PC2933, 512Mx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2933 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 163228

21,00 €*

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DDR4 DIMM | CIR-W4DUSV2604G

DDR4 DIMM Arbeitsspeicher, 4GB, 288-pin, PC2666, 512Mx8 SR, Samsung, 1,2V, erweiterter Temperaturbereich Merkmale:JEDEC StandardSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: -40°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 159829

23,00 €*

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSW2616G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 16 GB, 260-pin, PC2666, 1Gx8 DR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Dual In-Line Speicher ModulSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 155596

45,00 €*

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DDR3 SO-DIMM | CIR-S3SUSPM1604G

DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 204-pin, PC1600, 512Mx8 SR, Samsung, 1,5V/1,35V Merkmale:JEDEC-Standard 204-pin Small Outline Dual In-Line Speicher ModulSpannung: 1,5 V/1,35VTaktrate: 1600 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC Für DDR3 Arbeitsspeicher sind Taktraten von 800, 1066, 1333, 1600, 1866 und 2133 MHz üblich. Sie verfügen über 240 Pins (DIMM) bzw. 204 Pins (SO-DIMM). Für die Versorgung der Speichermodule werden zwischen 1.35 und 1.5 V benötigt.

Art.-Nr: 158504

19,00 €*

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DDR4 SO-DIMM | CIR-S4SUSW2108G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC2133, 1Gx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2133 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 167684

25,00 €*

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DDR4 DIMM | CIR-S4DUSZ2904G

DDR4 DIMM Arbeitsspeicher, 4GB, 288-pin, PC2933, 512Mx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 288-pin Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2933 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 163224

21,00 €*

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DDR4 SO-DIMM | CIR-W4SUSW2608G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 260-pin, PC2666, 1Gx8 SR, Samsung, 1,2V, erweiterter Temperaturbereich Merkmale:JEDEC StandardSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: -40°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 159835

29,00 €*

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DDR4 SO-DIMM | CIR-V4SESW2616G

DDR4 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 16 GB, 260-pin, PC2666, 1Gx8 DR, Samsung, ECC, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 260-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 161691

56,00 €*

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DDR3 DIMM | CIR-S3DUSKM1604G

DDR3 DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 240-pin, PC1333, 512Mx8 SR, Samsung, 1,5V Merkmale:JEDEC-Standard 240-pin Dual-Inline SpeichermodulSpannung: 1,5VTaktrate: 1333 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC Für DDR3 Arbeitsspeicher sind Taktraten von 800, 1066, 1333, 1600, 1866 und 2133 MHz üblich. Sie verfügen über 240 Pins (DIMM) bzw. 204 Pins (SO-DIMM). Für die Versorgung der Speichermodule werden zwischen 1.35 und 1.5 V benötigt.

Art.-Nr: 158476

19,00 €*

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DDR1 SO-DIMM | CIR-S1SUMD40512

DDR1 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 512 MB, 200-pin, PC400, 32Mx16DR, Micron, 2,6V Merkmale:JEDEC-Standard 200-pin Small Outline Dual In-Line Speicher ModulSpannung: 2,6VTaktrate: 400 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +70°CNon-ECC DDR1 Arbeitsspeicher sind seit 1999 auf dem Markt. Sie takten mit Raten zwischen 333 und 400 MHz. Sie verfügen über 184 Pins (DIMM) bzw. 200 Pins (SO-DIMM). Für die Versorgung der Speichermodule werden 2,6 V benötigt.

Art.-Nr: 162328

44,00 €*

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DDR4 DIMM | CIR-S4DUSV2108G

DDR4 DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 288-pin, PC2133, 512Mx8 DR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 288-pin Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2133 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 167673

33,00 €*

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DDR3 SO-DIMM | CIR-W3SUSPSM1604G

DDR3 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 4 GB, 204-pin, PC1600, 512Mx8 SR, Samsung, 1,5V/1,35V, erweiterter Temperaturbereich Merkmale:JEDEC-Standard 204-pin Small Outline Dual In-Line Speicher ModulSpannung: 1,5 V/1,35VTaktrate: 1600 MHzBetriebstemperatur: -40°C bis +85°CNon-ECC Für DDR3 Arbeitsspeicher sind Taktraten von 800, 1066, 1333, 1600, 1866 und 2133 MHz üblich. Sie verfügen über 240 Pins (DIMM) bzw. 204 Pins (SO-DIMM). Für die Versorgung der Speichermodule werden zwischen 1.35 und 1.5 V benötigt.

Art.-Nr: 158535

23,00 €*

21 auf Lager!

DDR4 DIMM | CIR-S4DUSW2608G

DDR4 DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 288-pin, PC2666, 1Gx8 SR, Samsung, 1,2V Merkmale:JEDEC Standard 288-pin Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 155587

25,00 €*

20 auf Lager!

DDR5 SO-DIMM | CIR-W5SUSC4808G

DDR5 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 262-pin, PC4800, 1Gx16 SR, 1,1V, erweiterter Temperaturbereich Merkmale:JEDEC Standard 262-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,1VTaktrate: 4800 MHzBetriebstemperatur: -40°C bis +85°CNon-ECC DDR5 Arbeitsspeicher sind die aktuell modernsten Arbeitsspeicher. Sie sind mit 51 Gb/s fast doppelt so schnell wie die DDR4 Modelle mit 26Gb/s. Des Weiteren bieten sie bessere Datenübertragungsraten, Taktraten sowie eine höhere Effizienz. Außerdem haben DDR5 Speichermodule einen etwas geringeren Stromverbrauch.

Art.-Nr: 168551

50,00 €*

18 auf Lager!

DDR5 SO-DIMM | CIR-S5SUSC4808G

DDR5 SO-DIMM Arbeitsspeicher, 8 GB, 262-pin, PC4800, 1Gx8 SR, Samsung, 1,1V Merkmale:JEDEC Standard 262-pin Small Outline Dual In-Line SpeichermodulSpannung: 1,1VTaktrate: 4800 MHzBetriebstemperatur: 0°C bis +85°CNon-ECC DDR5 Arbeitsspeicher sind die aktuell modernsten Arbeitsspeicher. Sie sind mit 51 Gb/s fast doppelt so schnell wie die DDR4 Modelle mit 26Gb/s. Des Weiteren bieten sie bessere Datenübertragungsraten, Taktraten sowie eine höhere Effizienz. Außerdem haben DDR5 Speichermodule einen etwas geringeren Stromverbrauch.

Art.-Nr: 167657

40,00 €*

18 auf Lager!

DDR4 DIMM | CIR-W4DUSX2632G

DDR4 DIMM Arbeitsspeicher, 32GB, 288-pin, PC2666, 2Gx8 DR, Samsung, 1,2V, erweiterter Temperaturbereich Merkmale:JEDEC StandardSpannung: 1,2VTaktrate: 2666 MHzBetriebstemperatur: -40°C bis +85°CNon-ECC DDR4 unterstützt Chips mit höherer Dichte und Stacking-Technologien als DDR3, wodurch einzelne Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 512 GB möglich sind. Die Taktraten beginnen bei 2133 MHz. Sie verfügen im Gegensatz zur vorherigen Generation über 288 Pins (DIMM) bzw. 260 Pins (SO-DIMM). Außerdem sind DDR4 Arbeitsspeicher effizienter als DDR3 Arbeitsspeicher. Sie verbrauchen bis zu 40 % weniger Strom und benötigen nur 1,2 V pro Modul.

Art.-Nr: 162562

Preis auf Anfrage

Die industriellen DRAM-Module von Cervoz werden gemäß dem JEDEC-Standard entwickelt und hergestellt, wobei Original-DRAM-Chips in Industriequalität verwendet werden. Die Produkte werden mit einem festen BOM-Prinzip und langfristiger Verfügbarkeit angeboten. Die Module werden mit verschiedenen Plattformen getestet und verifiziert, um unseren Kunden ein Höchstmaß an Kompatibilität und Zuverlässigkeit zu gewährleisten.